This article deals with the utilizing of Scanning Near-field Optical Microscopy (SNOM) for the detection of spectrum for Strongly Localized Photoluminescent Centres (SLFC). These centres may be a vacancies in mono-layer of hexagonal Boron Nitride (h-BN). Therefore, the h-BN sample on quartz substrate was prepared. On this substrate, the h-BN layer is formed to the flakes with a core in the centre. We observed that these cores are radiated as SLFC for the white illumination. In addition, we measured the optical absorption spectra corresponding to the topography of the flake., Tento článek se zabývá využitím rastrovací optické mikroskopie v blízkém poli (SNOM) k detekci spekter silně lokalizovaných fotoluminiscenčních center (SLFC). Těmito centry mohou být vakance v monovrstvě hexagonálního nitridu boritého (h-BN). Proto byl připraven vzorek h-BN na substrátu křemenného skla. Na tomto substrátu tvoří h-BN vločky s jádrem uprostřed. Bylo objeveno, že pro bílý zdroj osvětlení se tato jádra chovají jako SLFC. Navíc byla naměřena optická absorpční spektra korespondující s topografií vloček., and Poděkování. Autoři děkují Milosi Tothovi, University of Technology Sydney, za poskytnutí vzorků. Práce byla podpořena MŠMT projektem LQ1601 (CEITEC 2020) Národní program udržitelnosti.
Low-temperature photoluminescence spectrometer designed and assembled in the Institute of Photonics and Electronics is described. The spectrometer enables sensitive and high resolution measurements in broad spectral (300 nm - 9000 nm) and temperature (3.5 K - 300 K) ranges. Very broad spectral range gives our laboratory a unique possibility to investigate a wide range of materials. In this contribution we present investigation of semi-insulating bulk GaN and selected special glass systems doped with rare-earth ions. and Je představen nízkoteplotní fotoluminiscenční spektrometr navržený a sestavený v Ústavu fotoniky a elektroniky. Spektrometr umožňuje měření s velkou citlivostí a rozlišovací schopností v širokém spektrálním (300 nm - 9000 nm) a teplotním (3,5 K - 300 K) rozsahu. Unikátní spektrální rozsah spektrometru dává naší laboratoři jedinečnou možnost studovat různé polovodičové materiály a jevy. V práci je demonstrováno využití spektrometru pro studium objemových krystalů semi-izolačního nitridu galia (GaN) a vybraných skelných systémů dotovaných ionty vzácných zemin.