A temperature and energy production of roof integrated and free standing PV panels was investigated at the Czech University of Life Sciences Prague (CULS). The annual difference 1.4 °C in temperature and 3.5 % in energy production between roof integrated and free standing PV panels has been evaluated. The experimental results of the measurement of roof integrated panels have verified the simplified thermal model of PV panel developed at Czech Technical University in Prague (CTU). The model has been used for further analysis of PV panel performance in different climates. While roof integration of PV panel in cold, moderate and warm climate (Stockholm, Prague, Athens) brings only reduction of energy production by several percents, it could lead to exposition to very high temperatures in hot climate (Riyadh) and cause an accelerated degradation of PV panels. and V případě fotovoltaických (PV) panelů zabudovaných do střešní krytiny (dále jen zabudované PV panely) může ve srovnání s volně stojícími fotovoltaickými panely (dále jen volné PV panely) dojít k významnému zvýšení jejich teploty. V důsledku toho se významně sníží jejich produkce elektrické energie. Souvislost mezi teplotou a výrobou elektrické energie prostřednictvím volných a zabudovaných PV panelů byla zkoumána na České zemědělské univerzitě v Praze (ČZU). Mezi zabudovanými a volnými PV panely byl v průběhu celého roku zjištěn teplotní rozdíl 1,4 °C a rozdíl ve výrobě elektrické energie 3,5 %. Experimentální výsledky měření byly porovnány s novým teoretickým tepelným modelem PV panelů vyvinutým na Českém vysokém učení technickém v Praze (ČVUT). Model byl použit pro další analýzu výkonu PV panelů v různých klimatických podmínkách. Zatímco zabudovaný PV panel v podmínkách chladného, mírného a teplého podnebí (Stockholm, Praha, Atény) vykazuje ve výrobě energie rozdíly pouze o několik procent, vystavení PV panelů velmi vysokým teplotám v horkém podnebí (Rijádu) by mohlo vést k jejich zrychlené degradaci.
The present article shows formulations and interpretations of the basic mathematical relations that contain Fermi characteristic quantities and relate to the electron conductance of a homogeneous metallic or semiconducting thin layer. Two approaches to this conductance are chosen, namely from the standpoint of wave number or energetic quantum states of conductive electrons in dependence on their concentration, absolute temperature and acted homogeneous electrostatic field. The theoretical analyses are carried out for drifted and diffused conductive electrons. The relations formulated are of practical importance for development of modern integrated electronical and opto-electronical devices. and Prezentovaný článek uvádí formulace a interpretace základních matematických relací, obsahujících Fermiho charakteristické veličiny a vztažených k elektronové vodivosti homogenní kovové nebo polovodičové tenké vrstvy. Je zvolen dvojí přístup k této vodivosti, a to z hlediska vlnočtových nebo energetických kvantových stavů vodivostních elektronů v závislosti na jejich koncentraci, absolutní teplotě a působícím homogenním elektrostatickém poli. Teoretické analýzy jsou provedeny pro driftové a difuzní vodivostní elektrony. Formulované relace mají praktický význam pro rozvoj moderních integrovaných elektronických a optoelektronických zařízení.
Some analogical forms of the one-particle nonrelativistic threedimensional time-nonstationary and stationary Schrödinger quantum equation for conductive electrons and photons in adequate homogeneous or nonhomogeneous and isotropic material media are presented in the article. Their interpretation and comparison enable considerations about the conditions for a direct transit of some mutually relevant characteristic quantities and functions. and Článek prezentuje některé analogické formy jednočásticové nerelativistické trojrozměrné časově nestacionární a stacionární Schrödingerovy kvantové rovnice pro vodivostní elektrony a fotony v přiměřených homogenních nebo nehomogenních a izotropních látkových prostředích. Jejich interpretace a srovnání umožňují usuzovat na podmínky pro přímý vzájemný převod některých si odpovídajících charakteristických veličin a funkcí.