V tomto článku informujeme stručně o výzkumu v oblasti polovodičových materiálů a struktur na ÚFKL, podrobněji pak o nově otevřené laboratoři polovodičů - čistých prostorách pro křemíkovou technologii. and Josef Humlíček, Petr Mikulík.
V tomto článku jsou uvedeny výsledky analýzy náhodné drsnosti spodních rozhraní oxidových vrstev vytvořených termickou oxidací povrchů monokrystalů GaAs, které byly získány pomocí mikroskopie atomové síly. Z výsledků této analýzy provedené na drsných površích GaAs vzniklých po rozpuštění oxidových vrstev je zřejmé, že tato spodní rozhraní jsou značně drsná a že jejich zdrsňování probíhá hlavně v počátečních stadiích oxidace, tj. v intervalu oxidačních časů od 0 do 4 hodin. Dále je ukázáno, že zdrsňování spodních rozhraní je silně závislé i na teplotě oxidace a že k nejvýraznějšímu zdrsňování dochází při teplotách oxidace okolo 500° C. Navíc je ukázáno, že drsná spodní rozhraní mají normální (gaussovský) charakter. and Ivan Ohlídal, Petr Klapetek, Daniel Franta.