Skenovací tunelovací mikroskopie je prezentována jako velmi úspěšná metoda pro zkoumání krystalové stuktury epitaxních heterostruktur vypěstovaných metodami epitaxe z molekulárních svazků a epitaxe z plynné fáze. Ukázky v této práci se týkají polovodičových materiálů GaAs, AlAs, InAs a MnAs uspořádaných do různých typů., Oliva Pacherová, Edvin Lundgren, Anders Mikkelsen, Lassana Ouattara, Henrik Davidsson., and Obsahuje seznam literatury
Paper deals with measuring temperature dependence of the dissipation factor, relative permittivity and internal resistivity of nanocomposite materials based on epoxy resin and preparation process of measured samples. The sample microstructure and material composition is studied with scanning electron microscope and energy dispersive X-Ray spectrometer. and Článek se zabývá měřením teplotních závislostí ztrátového činitele, relativní permitivity a vnitřní rezistivity nanokompozitních materiálů na bázi epoxidové pryskyřice a postupem přípravy měřených vzorků. Mikrostruktura a materiálové složení nanokompozitů jsou studovány pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu a energiově disperzního analyzátoru Rentgenova záření.