Search

Start Over Subject depth profiling

1. Mechanika iontů jako prostředek k analýze nanosvěta

Creator:
Bábor, Petr, Duda, Radek, Průša, Stanislav, Matlocha, Tomáš, Kolíbal, Miroslav, Kalousek, Radek, Neuman, Jan, Urbánek, Michal, and Šikola, Tomáš
Format:
bez média and svazek
Type:
model:article and TEXT
Subject:
SIMS, TOF-LEIS, HRTEM, depth profiling, ion interactions, ion scattering, MoSi, hloubkové profilování, interakce iontů, and rozptyl iontů
Language:
Czech
Description:
In the contribution the results on the combination of ion sputtering and scattering processes for achieving enhanced complementary information on the analyzed multilayer are reported. Physical background of ion-solid interactions is discussed. Specifically, the combination of SIMS and TOF-LEIS techniques will be introduced. and V tomto článku je diskutována problematika interakce iontů s pevnou látkou. Podrobněji je diskutována možnost využití mechanických vlastností iontů k analýze 2D nanostruktur (vrstev s tloušťkou v jednotkách nanometrů) pomocí metod SIMS a TOF-LEIS.
Rights:
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ and policy:public