Hranice priamej merateľnosti koncentrácie dopantu v polovodičových štruktúrach rastrovacím kapacitným mikroskopom

Title:

Hranice priamej merateľnosti koncentrácie dopantu v polovodičových štruktúrach rastrovacím kapacitným mikroskopom
Limit of the direct measurability of dopant concentration in semiconductors structures by scanning capacitive microscope

Creator:

Lányi, Štefan

Identifier:

https://cdk.lib.cas.cz/client/handle/uuid:0b7764c5-4723-4442-9797-4666b904373d
uuid:0b7764c5-4723-4442-9797-4666b904373d
issn:0009-0700

Subject:

skenovací mikroskopie, polovodiče, scanning probe microscopy, semiconductors, 6, and 53

Type:

model:article and TEXT

Format:

print, bez média, and svazek

Description:

V práci vyšetrujeme vplyv rozmerov topografických čŕt v tvare valcovitého výstupku alebo valcovitej dutiny vo vodivej rovine na kapacitu, snímanú sondou rastrovacieho kapacitného mikroskopu. Rozptylové pole sondy spôsobuje, že aj značne vzdialené časti povrchu ovplyvňujú meranie. Výsledky umožňujú stanoviť minimálny priemer povrchových čŕt potrebný na zobrazenie ich výšky alebo hĺbky s prijateľnou chybou. Potrebný priemer dutín, pri ktorom sa dosahuje chyba menšia ako 10 %, je väčší ako potrebný priemer výstupkov a pri hĺbke 100 nm dosahuje až 10 μm. Aj v prípade hĺbky okolo 10 nm predstavuje asi 5 μm, resp. asi 1 μm u výstupkov rovnakej výšky. Z toho vyplýva nutnosť rekonštrukcie dát, ak sa na submikrónových štruktúrach majú pomocou netienených sond získať správne kvantitatívne hodnoty. Podstatné zlepšenie sa dá dosiahnuť s použitím tienených sond s veľmi malým priemerom ústia tienenia., Štefan Lányi., and Obsahuje seznam literatury

Language:

Czech

Rights:

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
policy:public

Coverage:

120-123

Source:

Československý časopis pro fyziku | 2003 Volume:53 | Number:2

Harvested from:

CDK

Metadata only:

false