Odpor mnoha magnetických materiálů výrazně závisí nejen na velikosti, nýbrž i na směru magnetizace. Průmyslově se tento jev využívá v senzorech citlivých na magnetické pole, mezi něž v nedávno minulé době patřila i velká část světové produkce čtecích hlav počítačových pevných disků. Teoretické modely této anizotropní magnetorezistence ovšem zatím zdaleka nedosáhly uspokojivé úrovně a shody s experimenty bez fitovacích parametrů se podaří dosáhnout jen výjimečně. Skupina takových poměrně úspěšných modelů se v posledních letech rozrostla o další položku - zředěný magnetický polovodič (Ga,Mn)As., Electric resistance of many magnetic materials depends significantly both on strength and direction of its magnetization. Magnetic field sensors belong to the typical industrial applications of this phenomenon and until recently these included also a major part of the world production of read heads in computer hard-drives. Theoretical models of this anisotropic magnetoresistance, however, have never reached a completely satisfactory level and so far it has been only rarely possible to achieve a decent agreement with experiments without any fit parameters. Few years ago, the family of such relatively successful models could welcome a new member that concerns a dilute magnetic semiconductor (Ga, Mn)As., Karel Výborný., and Obsahuje bibliografii