In this work there are examined the structural surface characteristics of the P/In0→0.76Ga1→0.24P/In0.76(AlGa)0.24P sample with an active LED area created by a P-N transition in quaternary material In(AlGa)P. A surface morphology was treated using AFM method in contact and semicontact regimes. The obtained results were compared with measured results of optical transmission using NSOM in shear force regime provided transmission measurements utilizing a tipped optical fibre. The aim of the work is to compare measured results of surface morphology of LED structures not matched in grid to the substrate obtained by various SPM methods. and V práci sú vyšetrované štrukturálne vlastnosti povrchu vzorky GaP/In0→0,76Ga1→0,24P/In0,76(AlGa)0,24P, v ktorej aktívnu oblasť LED štruktúry tvorí P-N priechod v kvaternárnom materiáli In(AlGa)P. Povrchová morfológia bola skúmaná pomocou metódy AFM v kontaktnom a semikontaktnom režime. Namerané výsledky boli porovnané s výsledkami merania optickej priepustnosti pomocou NSOM, ktorý pracoval v ''shear force'' režime a umožňoval meranie transmisie využitím zahroteného optického vlákna. Cieľom práce je porovnanie výsledkov meraní povrchovej morfológie LED štruktúr mriežkovo neprispôsobených k podložke, získané použitím rôznych metód SPM.
This article deals with a morphology analysis of polycrystalline ZNO thin films deposited by radio-frequency diode sputtering in Ar+ and Ar’+N2 atmosphere on the SiO2/Si and glass substrates. The surface structure of polycrystalline ZnO sputtered films of about 500 nm thickness was revealed using an atom force microscopy method and then after their thermal annealing at temperature 500 °C - 600 °C in N2 and H2+N2 forming gas atmosphere. The surface roughness and granularity of tested samples were analysed. The obtained results confirmed that sputtering conditions together with annealing have an effect on polycrystalline ZnO film characteristics. and Príspevok sa zaoberá povrchovou analýzou tenkých vrstiev polykryštalického ZnO, ktoré boli pripravené rádio-frekvenčným diódovým naprašovaním v Ar+ a Ar++ N2 atmosfére na substrátoch SiO2/Si a skle. Metódou atómovej silovej mikroskopie bola zisťovaná povrchová štruktúra polykryštalického ZnO s hrúbkou naprášených vrstiev ~ 500 nm a po ich následnom zažíhaní metódou rýchleho tepelného žíhania pri teplotách 500 - 600 °C v atmosfére N2 a H2+N2 formovacom plyne. Na meraných vzorkách boli vyhodnotené parametre drsnosti a zrnitosti povrchu. Dosiahnuté výsledky potvrdili, že podmienky naprašovania a následné žíhanie vplýva na štrukturálne vlastnosti polykryštalických vrstiev ZnO.