Práce se zabývá přímým pozorováním atomárních procesů, které se uplatňují během růstu tenké vrstvy stříbra na zrekonstruovaném povrchu Si(111)7×7. Rastrovací tunelový mikroskop umožňuje atomární rozlišení v reálném prostoru. Snímáním série obrázků z jedné oblasti povrchu je navíc možné zachytit dynamiku procesů. Uveden je vliv rekonstrukce na povrchové procesy. Pozorovány byly základní procesy migrace atomu, vznik a rozpad zárodku, interakce s poruchami. Analýzou středních dob pobytu atomů v půlcelách povrchové rekonstrukce byly získány difuzní parametry. Uvádíme problémy vznikající při dynamických měřeních a jejich řešení., Pavel Sobotík, Pavel Kocán, Ivan Ošťádal., and Obsahuje seznam literatury