Paper deals with behavior of a nanostructure in electrostatic fields. The nanostructure contains a Si quantum dot, embedded in SiO2 surroundings. Paper presents the results of numerical evaluations of ground states, wave and probability functions of the states at varying values of the fields. Remarkable change of the amplitude wave function maximum, that occurs at a certain field bias value is elucidated as the quantum dot emission. Numerical data on the electron potential energy and the nanostructure quantum states parameters are obtained by solution of the Poisson and Schroedinger PDE equations applying the FEM method. 2D Poisson-Schroedinger model (PSM), for Comsol Multiphysics Program was prepared by the paper authors. and Článek se zabývá chováním nanostruktury v elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.