The plasmonic properties of heavy doped semiconductors at a terahertz and far infrared frequencies are discussed in this article. Special attention is devoted to the semiconductors due to their tunability, extremely low effective masses and exceptionally high carrier mobility. Mathematical model is based on Drude-Lorentz oscillators that bring the properties of free electron gas and heteropolar lattice vibrations. The experimental values for indium antimonide n-doped at the 1017 cm-3 are used for calculations. The resonant quality, electric field amplification and dipolar moment are presented for five nanoantennas with different shapes. and V článku sú diskutované plazmonické vlastnosti ťažko dopovaných polovodičov v terahertzovej a ďalekej infračervenej oblasti. Špeciálna pozornosť je venovaná polovodičom z dôvodu ľaditeľnosť ich vlastností, veľmi nízkej efektívnej hmotnosti a výnimočne vysokej pohyblivosti elektrónov. Permitivita materialu je počítaná na základe Drudeho-Lorentzovho modelu, ktorý zahŕňa vlastnosti voľných elektrónov, aj vibrácie heteropolárnej mriežky materiala. Pri výpočtoch sú použité experimentálne hodnoty odmerané na polovodiči n-dopovanom polovodiči indium antimód s koncentráciou vodivostných elektrónov 1017 cm-3. Prezentované výsledky rezonančnej kvality, zosilnenia elektrického poľa a radiačného dipólového momentu sú vypočítané pre päť nanoantén rôzneho tvaru.