Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) is a ferroelectric material interesting for its high dielectric constant and piezoelectric response. PZT thin films can be prepared by various methods, e.g. pulsed laser deposition, chemical vapor deposition, sol-gel and, most frequently, sputtering. Though the magnetron sputtering is used more frequently, PZT thin films can be prepared also by ion-beam sputtering (IBS). In this paper we study the deposition process of PZT thin films in our IBS system with a possibility of ion-beam assisted deposition (IBAD), which has the advantage that more energy can be added to the growing layer. We focus here mainly on the influence of the oxygen flux during the deposition on the quality of the resulting layers. We compare the samples grown on the silicon substrate with and without an intermediate Ti seeding layer. and Olovo-zirkonát-titanát Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) je ferroelektrický materiál zajímavý pro svou vysokou dielektrickou konstantu a silnou piezoelektrickou odezvu. Tenké PZT vrstvy mohou být připraveny různými metodami, např. pulzní laserovou depozicí, chemickým nanášením par, metodou sol-gel a nejčastěji naprašováním. I když se magnetronové naprašování používá častěji, mohou být tenké PZT vrstvy připraveny i naprašováním iontovým svazkem (IBS). V tomto článku studujeme depoziční proces tenkých PZT vrstev v našem systému depozice iontovým svazkem s možností asistenčního iontového svazku (IBAD). Soustředíme se zejména na ovlivnění kvality výsledných vrstev množstvím připouštěného kyslíku během depozice. Porovnáváme vzorky pěstované na křemíkovém substrátu s Ti mezivrstvou nebo bez ní.