The plasmonic properties of heavy doped semiconductors at a terahertz and far infrared frequencies are discussed in this article. Special attention is devoted to the semiconductors due to their tunability, extremely low effective masses and exceptionally high carrier mobility. Mathematical model is based on Drude-Lorentz oscillators that bring the properties of free electron gas and heteropolar lattice vibrations. The experimental values for indium antimonide n-doped at the 1017 cm-3 are used for calculations. The resonant quality, electric field amplification and dipolar moment are presented for five nanoantennas with different shapes. and V článku sú diskutované plazmonické vlastnosti ťažko dopovaných polovodičov v terahertzovej a ďalekej infračervenej oblasti. Špeciálna pozornosť je venovaná polovodičom z dôvodu ľaditeľnosť ich vlastností, veľmi nízkej efektívnej hmotnosti a výnimočne vysokej pohyblivosti elektrónov. Permitivita materialu je počítaná na základe Drudeho-Lorentzovho modelu, ktorý zahŕňa vlastnosti voľných elektrónov, aj vibrácie heteropolárnej mriežky materiala. Pri výpočtoch sú použité experimentálne hodnoty odmerané na polovodiči n-dopovanom polovodiči indium antimód s koncentráciou vodivostných elektrónov 1017 cm-3. Prezentované výsledky rezonančnej kvality, zosilnenia elektrického poľa a radiačného dipólového momentu sú vypočítané pre päť nanoantén rôzneho tvaru.
Numerical modeling is an indispensable part of theory and design of any guided-wave photonic structure and device. It helps not only save time and money by substituting expensive and time consuming trial and error fabrication and testing by numerical simulations, but - even more importantly - it significantly contributes to proper understanding of physics involved in the operation of the structures or devices under study. In the Institute of Photonics and Electronics, this discipline has been systematically developed for more than three decades. In this communication, after a few examples of the most important achievements, we present fundamentals of the 3-D Fourier modal method recently developed and describe some results of its application to subwavelength grating waveguide structures based on silicon on insulator platform. and Numerické modelování je nepostradatelnou součástí teorie a návrhu jakékoli vlnovodné fotonické struktury a součástky. Pomáhá nejen ušetřit čas i peníze náhradou nákladné a časově náročné přípravy metodou pokusů a omylů numerickými simulacemi, ale také - a to zejména - významně přispívá k opravdovému porozumění fyzikálním jevům, na nichž je funkce těchto struktur či součástek založena. Tento obor je v Ústavu fotoniky a elektroniky AVČR systematicky rozvíjen již víc než tři desetiletí. Po několika příkladech nejvýznamnějších výsledků jsou v tomto příspěvku stručně popsány základy nedávno vyvinuté fourierovské modální metody pro modelování trojrozměrných fotonických struktur a jsou uvedeny některé výsledky její aplikace na křemíkové subvlnové mřížkové vlnovodné struktury.
Fabrication of plasmonic nanoantennas with resonance frequencies in visible range is often challenging due to the necessity of exposure of nonconductive substrates. This work is focused in comparison of conventional fabrication approach using conductive polymer layers and alternative variable pressure electron beam lithography (VP-EBL) method. We have also studied the stability of VP-EBL process for long exposures. and Výroba plazmonických nanoantén s rezonančními frekvencemi ve viditelné oblasti pomocí elektronové litografie mnohdy přináší nutnost expozice nevodivých substrátů. Tato práce je zaměřena na porovnání výsledků dosažitelných konvenčním přístupem za použití vodivých polymerů a alternativního postupu v podobě litografie za variabilního tlaku (VP-EBL). Dále je testována stabilita VP-EBL procesu pro dlouhodobé expozice.