Sub-micrometre-scale analysis of defects in semiconductors and dielectrics

Title:

Sub-micrometre-scale analysis of defects in semiconductors and dielectrics
Submikrometrová analýza dislokací v polovodičích a dielektrikách

Creator:

Lanyi, Š., Nádaždy, V., Hruškovič, M., and Hribik, J.

Identifier:

https://cdk.lib.cas.cz/client/handle/uuid:4cacc848-714d-40a3-acc8-15743d4afeab
uuid:4cacc848-714d-40a3-acc8-15743d4afeab

Type:

model:article and TEXT

Format:

bez média and svazek

Description:

The capacitance- and charge-based Deep Level Transient Spectroscopy are well established methods of analysis of defects in semiconductors, and in both semiconductors and dielectrics, respectively. Their sensitivity can be increased to a level sufficient for application in scanning probe microscopy. The paper presents a comparison of the two methods, their advantages and limits, as well as examples of isothermal charge-transient spectra obtained on pentacene thin film. and Kapacitně (nábojově) založená spektroskopie DTLS (Deep Level Transient Spectroscopy) patří mezi zavedené metody pro analýzu dislokací v polovodičích (v polovodičích nebo v dielektrikách). Citlivost metod lze zvýšit na úroveň dostatečnou pro použití v rastrovací tunelové mikroskopii. Článek porovnává tyto dvě metody, jejich výhody a omezení a také příklady spekter izotermických nabojových přechodů získaných v pentacenové tenké vrstvě.

Language:

Czech

Rights:

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
policy:public

Coverage:

290-292

Source:

Jemná mechanika a optika: věda - výzkum - technologie - realizace : technický oborový časopis = Fine mechanics and optics | 2007 Volume:52 | Number:10

Harvested from:

CDK

Metadata only:

false