The capacitance- and charge-based Deep Level Transient Spectroscopy are well established methods of analysis of defects in semiconductors, and in both semiconductors and dielectrics, respectively. Their sensitivity can be increased to a level sufficient for application in scanning probe microscopy. The paper presents a comparison of the two methods, their advantages and limits, as well as examples of isothermal charge-transient spectra obtained on pentacene thin film. and Kapacitně (nábojově) založená spektroskopie DTLS (Deep Level Transient Spectroscopy) patří mezi zavedené metody pro analýzu dislokací v polovodičích (v polovodičích nebo v dielektrikách). Citlivost metod lze zvýšit na úroveň dostatečnou pro použití v rastrovací tunelové mikroskopii. Článek porovnává tyto dvě metody, jejich výhody a omezení a také příklady spekter izotermických nabojových přechodů získaných v pentacenové tenké vrstvě.