Dva základní teoretické modely elektronové magnetorezistence elektricky vodivé mezoskopické tenké vrstvy

Title:

Dva základní teoretické modely elektronové magnetorezistence elektricky vodivé mezoskopické tenké vrstvy
Two basic theoretical models of the electronic magnetoresistance of an electrically conductive mesoscopic thin layer

Creator:

Pospíšil, Jaroslav and Pluháček, František

Identifier:

https://cdk.lib.cas.cz/client/handle/uuid:b027ab5c-cde9-4801-bed3-b587e913dd07
uuid:b027ab5c-cde9-4801-bed3-b587e913dd07

Type:

model:article and TEXT

Format:

bez média and svazek

Description:

The influence of a homogeneous magnetostatic field to the transfer of electrons in an homogeneous electrically conductive metallic or semiconductor mesoscopic thin layer is discussed in this article. For such a purpose, the two adequate basic theoretical conduction models, relating to its electrical resistivity and mobility, concentration and density of energetic quantum states of presented electrons, are utilized. They contain the classical Drude model, applicable to a weak longitudinal and transversal magnetoresistance, and the quantum Shubnikov - de Haas model, exploitable to a strong longitudinal magnetoresitance. The formulae presented declare some specific magnetoresitance properties of mesoscopic electrically conductive thin layers with actual practical importance for next miniaturization, development and investigation of new integrated electronical, opto-electronical and electro-optical systems. and tomto článku je diskutován vliv homogenního magnetostatického pole na přenos elektronů v homogenní elektricky vodivé kovové nebo polovodičové mezoskopické tenké vrstvě. K tomuto účelu je využito dvou přiměřených základních teoretických vodivostích modelů, vztažených k její elektrické rezistivitě a mobilitě, koncentraci a hustotě energetických kvantových stavů přítomných elektronů. Jde o klasický Drudeho model, aplikovatelný na slabou podélnou a příčnou magnetorezistenci, a kvantový Shubnikovův - de Haasův model, využitelný pro silnou podélnou magnetorezistenci. Prezentované vzorce vystihují některé specifické magnetorezistenční vlastnosti mezoskopických elektricky vodivých tenkých vrstev s aktuálním praktickým významem pro další miniaturizaci, vývoj a výzkum nových integrovaných elektronických, optoelektronických a elektrooptických systémů.

Language:

Czech

Rights:

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
policy:public

Coverage:

204-208

Source:

Jemná mechanika a optika: věda - výzkum - technologie - realizace : technický oborový časopis = Fine mechanics and optics | 2008 Volume:53 | Number:7-8

Harvested from:

CDK

Metadata only:

false