Pěstování GaN na safíru pomocí mezivrstvy deponované při nízkých teplotách a realizace GaN typu p s využitím dopování Mg s následným ozářením elektronovým svazkem o nízké energii: Přednáška u příležitosti udělení Nobelovy ceny za fyziku za rok 2014

Title:

Pěstování GaN na safíru pomocí mezivrstvy deponované při nízkých teplotách a realizace GaN typu p s využitím dopování Mg s následným ozářením elektronovým svazkem o nízké energii: Přednáška u příležitosti udělení Nobelovy ceny za fyziku za rok 2014
Growth of GaN on sapphire via low-temperature deposited buffer layer and realization of p-type GaN by Mg doping followed by low-energy electron beam irradiation

Creator:

Amano, Hiroshi and Gregora, Ivan

Identifier:

https://cdk.lib.cas.cz/client/handle/uuid:e3250f9c-bc31-4e7e-a534-d1bf703b7144
uuid:e3250f9c-bc31-4e7e-a534-d1bf703b7144
issn:0009-0700

Subject:

fyzika, kovy, gallium, physics, metals, 6, and 53

Type:

model:article and TEXT

Format:

print, bez média, and svazek

Description:

Toto je osobní historie jednoho z japonských výzkumníků podílejících se na vývoji metody pěstování GaN na safírovém substrátu, který vydláždil cestu k realizaci chytrých televizních a zobrazovacích systémů využívajích modré svítivé diody (LED). Nejvýznamnější práce byly provedeny ve druhé polovině osmdesátých let minulého století. Přednáška popisuje autorovu práci na tomto vývoji a postupu, kterým se etablovala technologie umožňující pěstování GaN a realizaci GaN typu p., The 2014 Nobel Prize for Physics was shared to Isamu Akasaki, Hiroshi Amano and Shuji Nakamura. These three articles contain the text of the address given in conjuction with the award., Hiroshi Amano., and Obsahuje seznam literatury

Language:

Czech

Rights:

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
policy:public

Coverage:

23-27

Source:

Československý časopis pro fyziku | 2016 Volume:66 | Number:1

Harvested from:

CDK

Metadata only:

false