The paper describes the results achieved by electron beam lithography when using an electron beam writer BS 600. The impacts of interference that are common in industrial areas are discussed. Electromagnetic field in the critical place i.e. along an electron beam axis is considered to be the predominant source of disturbances. An installation of a magnetic field cancelling system is described. The best resolution achievable in both cases (the magnetic field cancelling system being on or off) are presented. It is supposed that the results and experience described herein would be helpful when new laboratories and operations for nanotechnologies will be designed and built. and Příspěvek se zabývá výsledky dosaženými při litografických operacích s využitím elektronového litografu BS 600. Článek diskutuje zejména vliv rušení v běžném průmyslovém prostředí na parametry dosažitelné při tomto způsobu litografie. Za převažující rušivý projev je považováno proměnlivé elektromagnetické pole v kritické oblasti, tedy podél osy elektronového svazku zapisovacího zařízení. Prezentovány jsou mezní parametry realizovaných struktur ve dvou případech, jednak při dosavadním běžném uspořádání a jednak při využití systému pro aktivní kompenzaci magnetického pole. Autoři se domnívají, že zkušenosti a výsledky popsané v tomto příspěvku mohou významným způsobem pomoci při budování vědeckých i průmyslových laboratoří či provozů se zaměřením na litografii, mikroskopii i technologie obecně, a to při práci s objekty o rozměrech pod 100 nanometrů.
The paper describes an improvement of electron-beam lithograph BS 600 working with a fixed accelerating voltage of 15 kV and a rectangular-shape variable-size electron beam. The system has undertaken an important upgrade during last few years. Main goal was to increase the resolution and the writing speed. Achieved parameters and characteristics of the system are described as well as few examples of prepared structures. and Článek popisuje úpravu původního elektronového litografu BS 600 pracujícího s urychlovacím napětím 15 kV, který prošel v posledních letech výraznou rekonstrukcí. Základní požadavky jsou kladeny na zlepšení rozlišení a zvýšení expoziční rychlosti. Kromě vlastností a dosažených parametrů jsou uvedeny rovněž příklady struktur vytvořených pomocí tohoto systému. Litograf je využíván pro přípravu masek, přímou litografii i realizaci reliéfních struktur. Pro kontrolu realizovaných struktur byl použit mikroskop s rastrující sondou a rastrovací elektronový mikroskop.