The design and construction of a thermal dissociation source for generation of hydrogen atomic beams with thermal energy (0.1 - 1 eV) will be described. The main application areas of presented source covers: low-temperature cleaning of surfaces and ultrathin films, preparation of hydrogen passivated surfaces, and hydrogen assisted molecular beam epitaxy. The hydrogen molecules were dissociated in a tungsten capillary heated by electron bombardment. The properties (profile, dissociate) of these atomic source were measured by a quadrupole mass spectrometer in the differentially pumped chamber., Článek popisuje návrh a konstrukci termálního disociačního zdroje poskytujícího svazky atomů vodíku o termální energii (0,1 - 1 eV). Zdroj pracuje v UHV podmínkách a je primárně určen k následujícím aplikacím: nízkoteplotní čištění povrchu a ultratenkých vrstev, příprava vodíkem pasivovaných povrchů a molekulární svazková epitaxe s asistencí vodíkových atomů. Molekuly vodíku byly disociovány na vnitřním povrchu wolframové kapiláry, která byla žhavena dopadem urychlených elektronů. Vlastnosti tohoto zdroje byly studovány užitím kvadrupólového hmotnostního spektrometru umístěného v diferenciálně čerpané UHV komoře., and obrázky 2, 3, 4, 5, 6 a 7 jsou uvedeny na 2. straně obálky v barevném provedení
Theoretical basics of thermal desorption spectroscopy and its realization in the Surfaces and Thin Films Laboratory is presented. As an example of application of this method a study of contamination of Si wafer is reported. and V článku jsou prezentovány teoretické základy termální desorpční spektroskopie a její aplikace ve výzkumu povrchů a tenkých vrstev. Jako příklad použití metody je uvedena studie kontaminace Si desek.