V práci vyšetrujeme vplyv rozmerov topografických čŕt v tvare valcovitého výstupku alebo valcovitej dutiny vo vodivej rovine na kapacitu, snímanú sondou rastrovacieho kapacitného mikroskopu. Rozptylové pole sondy spôsobuje, že aj značne vzdialené časti povrchu ovplyvňujú meranie. Výsledky umožňujú stanoviť minimálny priemer povrchových čŕt potrebný na zobrazenie ich výšky alebo hĺbky s prijateľnou chybou. Potrebný priemer dutín, pri ktorom sa dosahuje chyba menšia ako 10 %, je väčší ako potrebný priemer výstupkov a pri hĺbke 100 nm dosahuje až 10 μm. Aj v prípade hĺbky okolo 10 nm predstavuje asi 5 μm, resp. asi 1 μm u výstupkov rovnakej výšky. Z toho vyplýva nutnosť rekonštrukcie dát, ak sa na submikrónových štruktúrach majú pomocou netienených sond získať správne kvantitatívne hodnoty. Podstatné zlepšenie sa dá dosiahnuť s použitím tienených sond s veľmi malým priemerom ústia tienenia., Štefan Lányi., and Obsahuje seznam literatury
Low-temperature photoluminescence spectrometer designed and assembled in the Institute of Photonics and Electronics is described. The spectrometer enables sensitive and high resolution measurements in broad spectral (300 nm - 9000 nm) and temperature (3.5 K - 300 K) ranges. Very broad spectral range gives our laboratory a unique possibility to investigate a wide range of materials. In this contribution we present investigation of semi-insulating bulk GaN and selected special glass systems doped with rare-earth ions. and Je představen nízkoteplotní fotoluminiscenční spektrometr navržený a sestavený v Ústavu fotoniky a elektroniky. Spektrometr umožňuje měření s velkou citlivostí a rozlišovací schopností v širokém spektrálním (300 nm - 9000 nm) a teplotním (3,5 K - 300 K) rozsahu. Unikátní spektrální rozsah spektrometru dává naší laboratoři jedinečnou možnost studovat různé polovodičové materiály a jevy. V práci je demonstrováno využití spektrometru pro studium objemových krystalů semi-izolačního nitridu galia (GaN) a vybraných skelných systémů dotovaných ionty vzácných zemin.
Fyzikální ústav AV ČR zahájil počátkem roku 2014 projekt LABONIT, který zpřístupňuje novou oblast polovodičového výzkumu v České republice. S finanční podporou Operačního programu Praha - Konkurenceschopnost ve výši 46 milionů korun umožní vybudovat vyspělé technologické laboratoře pro přípravu a charakterizaci nitridových polovodičů a jejich nanoheterostruktur. Na vzniku laboratoří se finančně podílí i FZÚ, který projekt podpoří přibližně čtyřmi miliony korun. and Alice Hospodková.