Práce se zabývá přímým pozorováním atomárních procesů, které se uplatňují během růstu tenké vrstvy stříbra na zrekonstruovaném povrchu Si(111)7×7. Rastrovací tunelový mikroskop umožňuje atomární rozlišení v reálném prostoru. Snímáním série obrázků z jedné oblasti povrchu je navíc možné zachytit dynamiku procesů. Uveden je vliv rekonstrukce na povrchové procesy. Pozorovány byly základní procesy migrace atomu, vznik a rozpad zárodku, interakce s poruchami. Analýzou středních dob pobytu atomů v půlcelách povrchové rekonstrukce byly získány difuzní parametry. Uvádíme problémy vznikající při dynamických měřeních a jejich řešení., Pavel Sobotík, Pavel Kocán, Ivan Ošťádal., and Obsahuje seznam literatury
Zobrazování povrchů s atomárním rozlišením pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) je zdrojem informací, který v současnosti ve fyzice povrchů a tenkých vrstev nemá alternativu. Detailní studium povrchových struktur ve statickém režimu bylo postupně doplněno dynamickou metodou - přímým pozorováním povrchových procesů. Vhodnou volbou experimentálních podmínek byl eliminován stínící efekt hrotu STM a získány první obrázky povrchu i během depozice materiálu na povrch a přímé zobrazení epitaxního růstu nanostruktur. Práce se zabývá využitím STM pro experimentální studium povrchových procesů. Uvádí příklady studia růstu na površích polovodičů a řešení problémů při měřeních. Autoři prezentují vlastní výsledky zkoumání individuálního chování atomů během depozice kovu na různé povrchy křemíku., Ivan Ošťádal, Pavel Sobotík, Pavel Kocán., and Obsahuje seznam literatury
V referátu přinášíme shrnutí některých našich výsledků z oblasti studia růstu atomárních struktur kombinací experimentálního a teoretického přístupu. Řádkovací tunelová mikroskopie (STM) nám poskytuje atomárně rozlišenou informaci v reálném prostoru, která umožňuje navržení modelu růstu, jenž je dále rozvíjen pomocí kinetických Monte Carlo (KMC) simulací., We briefly summarize our results concerning the field of growth of atomic structures, using a combination of experimental and theoretical approaches. Scanning tunnelling microscopy (STM) provides atomically resolved information in real space allowing us to propose growth models, which can be further developed using kinetic Monte Carlo (KMC) simulations., Pavel Kocán, Pavel Sobotík, Ivan Ošťádal., and Obsahuje bibliografii