Using aluminum films combined with protective dielectric film is amethod of choice for many reflective applications in the visible (VIS) and the near infrared (NIR) range. An optical defect occurred during the introduction of the deposition aluminum (Al) films protected by a silicon dioxide (SiO2 ) protective film in our laboratory. Both films were deposited using an electron beam evaporator. S iO2 layers were deposited using the ion beam assisted deposition (IBAD). The results were not satisfactory. Produced films were matting and struggled with a significant reflectance decrease. The article presents an experimental approach which has been performed in order to eliminate the matting effect and the reflectance decrease. and Hliníková vrstva v kombinaci s ochrannou dielektrickou vrstvou je jedna z nejčastěji používaných možností pro výrobu reflexních prvků v oblasti viditelného a blízkého infračerveného světla. Při depozici těchto vrstev v naší laboratoři byl pozorován problém s degradací kvality ve formě viditelného zašednutí a výrazné ztráty reflektance. Hliníková i dielektrické vrstvy jsou nanášeny vakuovým odpařováním z elektronového děla. V případě dielektrické vrstvy je pak použita varianta zvaná IBAD (Ion Beam Assisted Deposition). Článek představuje výsledky experimentů, kterými byl nalezen optimální procesní postup eliminující degradaci optické kvality deponovaných vrstev.