Experiments were carried out for n-channel CMOS technology. Electron concentration in the channel decreases linearly from the source to the drain contact. Diffusion current component is independent on the x-coordinate and it is equal to the drift current component for the low electric field. Lateral component of the electric field intensity is inhomogeneous in the channel and it has a minimum value near the source contact and increases with the distance from the source to the drain. It reaches maximum value near the drain electrode. and Článek se zabývá transportem nosičů náboje v kanálu tranzistoru typu MOSFET za předpokladu, že pohyblivost elektronů nezávisí na intenzitě podélného elektrického pole, určeného napětím na kolektoru a koncentrace elektronů v kanálu je exponenciální funkcí rozdílového napětí mezi elektrodou hradla a křemíkového substrátu. V tomto případě je celkový proud složen z proudu driftového a difuzního a je určen poměr mezi oběma složkami. Za těchto předpokladů je odvozeno rozdělení koncentrace nosičů a závislost napětí na poloze v kanálu.