One of the main goals in e-beam lithography is to increase exposure speed to achieve higher throughput. There are basically two types of electron-beam writers, shaped beam lithography systems and Gaussian beam lithography systems. The exposure time of both
e-beam writers consist in essence of beam-on time, deflection system stabilization time and stage movement time. Exposure time testing was carried out on two types of patterns. There were completely filled in areas, binary period gratings (ratio 1:1 between exposed and unexposed areas), and multileveled structures (computer generated holograms). Exposures data was prepared according to standard technology (PMMA resist, exposure dose, non-alcoholic based developer) for both systems. The result of experiment shows that variable shaped beam system has advantage in multileveled structures while the Gaussian beam system is more suitable for gratings type of pattern. It was proved that combination of both systems has its use to increase exposures throughput. and Jedním z hlavních témat vývoje v oblasti elektronové litografie je zvýšení expoziční rychlosti, tedy zvýšení výkonnosti, resp. propustnosti. Existují dva základní typy elektronových litografů, elektronové litografy pracující s obdélníkovým svazkem proměnné velikosti a elektronové litografy pracující s gaussovským svazkem kruhového průřezu. Expoziční doba obou typů litografických systémů se v podstatě skládá z doby otevření svazku, z doby stabilizace vychylovacího systému a z doby pojezdu stolu s exponovaným substrátem. Měření expoziční doby, resp. doby expozice, bylo prováděno na dvou typech exponovaných struktur: binárních mřížkách (s poměrem mezi exponovanou a neexponovanou oblastí 1:1) a víceúrovňových strukturách (počítačem generovaných hologramech). Expoziční data byla připravena tak, aby bylo možné zpracovat exponované substráty z obou typů litografů stejným technologickým postupem (PMMA resist, vyvolávací doba, bezalkoholová vývojka). Na základě výsledků experimentů můžeme říci, že litografický systém s obdélníkovým svazkem proměnné velikosti je výhodnější použít pro expozice víceúrovňových struktur, zatímco systém s gaussovským svazkem je vhodnější pro struktury typu mřížek. Bylo prokázáno, že zkombinování obou typů litografických systémů na jedné expozici může vést ke zvýšení expoziční rychlosti, a tedy propustnosti.
We present a method of laser interferometry appropriate for precise determination of the depth of etching in a deep reactive ion etching system (DRIE), primarily used for manufacturing of micro-electro-mechanical systems (MEMS). The system uses previous interferometer designs developed at the Institute of Institute of Scientific Instruments of the CAS, v. v. i. (ISI). We designed and manufactured a measurement system for specific MEMS and its functionality verified with the KLATencor D-120 profilemeter. and Představujeme laserovou interferometrickou metodu pro přesné měření hloubky leptu v průběhu procesu hlubokého reaktivního iontového leptání (DRIE), která se primárně využívá při zhotovování mikro-elektro-mechanických systémů (MEMS). Systém využívá předchozích návrhů interferometrických systémů vyvinutých na Ústavu přístrojové techniky AV ČR, v.v.i. (ÚPT). Navrhli jsme a zkonstruovali odměřovací zařízení pro specifickou oblast MEMS systémů a jeho funkčnost ověřili měřením na profilometru KLA Tencor D-120.